在近期加州圣何塞举行的星披年度存储技术大会现场，三星向媒体披露了下一代HBM3E内存的露下量频率带最新数据，下一代HBM3E在容量、宽方频率、面周带宽方面与现有HBM3的全降比照有着至关大的降职。
三星HBM3E内存接管基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制作，确凿地说是露下量频率带14nm。
单Die容量可达24Gb，宽方8颗重叠便是面周24GB，12颗重叠便是全降36GB，比照HBM3削减了一半。星披
等效频率可达9.8GHz，露下量频率带同样降职一半，宽方争先SK海力士的面周9GHz、美光的全降9.2GHz，单颗芯片的带宽可能做到1-1.1225TB/s。
对于NVIDIA H100这样的合计卡，六颗HBM3E可能组成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。
能效方面，三星宣称可能降职10％，但显明会被25％的频率降职所对于消掉。
思考到三星刚刚量产HBM3，新一代的HBM3E将在明年的某个时重量产，而出货可能要到明年尾了。
正因为如斯，NVIDIA下一代合计卡B100将独家运用SK海力士的HBM3E，三星至少第一批赶不上了。
缩短浏览- 为更多用户带来旗舰级体验 三星推出Galaxy S23 FE、Galaxy Tab S9 FE与Galaxy Buds FE
- 三星以及SK海力士或者将加大投入CXL技术开辟以抢占先机
- 《极限竞速：地平线5》三星杯春天赛总决赛落下帷幕！TachibaneRuls连任总体赛冠军！
作者:知识
