英特尔宣告已经实现基于业界争先的半导体封装解决妄想的大规模斲丧，其中包罗英特尔突破性的尔实3D封装技术Foveros，该技术为多种芯片的现D先进组合提供了灵便的抉择，带来更佳的封装功耗、功能以及老本优化。技术

　　这一技术是规模在英特尔最新实现降级的美国新墨西哥州Fab 9投产的。英特尔公司推广副总裁兼首席全天下经营官Keyvan Esfarjani呈现：“先进封装技术让英特尔锋铓毕露，量产辅助咱们的英特客户在芯片产物的功能、尺寸，尔实以及妄想运用的现D先进灵便性方面取患上相助劣势。”

　　这一里程碑式的封装妨碍还将增长英特尔下一阶段的先进封装技术立异。随着全部半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”（chiplets）的技术异构时期，英特尔的规模Foveros以及EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等先进封装技术提供了速率更快、老本更低的量产蹊径，以实如今单个封装中集成一万亿个晶体管，英特并在2030年后不断增长摩尔定律。

　　英特尔的3D先进封装技术Foveros是业界争先的解决妄想，在解决器的制作历程中，可能以垂直而非水平方式重叠合计模块。此外，Foveros让英特尔及其代工客户可能集成差此外合计芯片，优化老本以及能效。

　　英特尔将不断被动于增长技术立异，扩充营业规模，知足不断削减的半导体需要。